| 发明名称 | 结型场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种具有漏极(140)、栅极(160)和源极(130)的场效应晶体管，其中该漏极(140)和该源极(130)由第一类型半导体区形成。一方面，该场效应晶体管还包括另一掺杂区，例如位于栅极(160)和漏极(140)之间的另一N+区(410)。该另一掺杂区可视为场效应晶体管的中间漏极。在一些实现方式中，该另一掺杂区可以是重掺杂的。通过该另一掺杂区，可减小漏极(140)附近的场梯度。 | ||
| 申请公布号 | CN102714225B | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201080049780.9 | 申请日期 | 2010.11.01 |
| 申请人 | 美国亚德诺半导体公司 | 发明人 | D·F·鲍尔斯;A·D·贝因;P·M·达利;A·M·德格纳恩;M·T·邓巴;P·M·迈克古尼斯;B·P·斯坦森;W·A·拉尼 |
| 分类号 | H01L29/808(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/808(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 陈华成 |
| 主权项 | 一种电子器件，其包含具有漏极、栅极和源极的场效应晶体管，其中所述漏极和所述源极包括第一类型的半导体区域，并且其中第一类型的另一掺杂区域在所述栅极和所述漏极之间，所述另一掺杂区域至少部分地通过第二类型的半导体区域与所述漏极分离并且被配置为浮置，所述第一类型与所述第二类型相反。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||