主权项 |
一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法,包括以下步骤:(1)检查器件外观:检查待测增强型功率MOS器件的外观,观察该增强型功率MOS器件表面是否存在物理性损坏,去除表面存在物理性损坏的增强型功率MOS器件,获得表面完好的增强型功率MOS器件;(2)“两线法”测量器件阈值电压:对表面完好的增强型功率MOS器件,采用“两线法”,测量该待测增强型功率MOS器件的阈值电压;所述的“两线法”是指,将待测增强型功率MOS器件的源极接地,栅极和漏极接电源,将源漏电流的绝对值达到250uA时测得的电源电压,作为该待测增强型功率MOS器件的阈值电压;(3)判定是否存在其它损坏:如果“两线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压,则判定该增强型功率MOS器件内部存在其它损坏,去除内部存在其它损坏的增强型功率MOS器件;如果“两线法”测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压,则执行步骤(4);(4)“三线法”测量器件阈值电压:对“两线法”测出阈值电压的增强型功率MOS器件,采用“三线法”,测量该待测增强型功率MOS器件的阈值电压;所述的“三线法”是指,将待测增强型功率MOS器件源极接地,漏极固定10mV电压,栅极接电源,将源漏电流的绝对值达到250uA时测得的电源电压,作为该待测增强型功率MOS器件的阈值电压;(5)判定栅内引线是否脱落:如果“三线法”测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压,则判定该待测增强型功率MOS器件栅内引线正常;如果“三线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压,则判定该待测增强型功率MOS器件栅内引线脱落。 |