具有包含横向延伸部分之嵌入式源极或汲极区域之电晶体及其制造方法;TRANSISTOR WITH EMBEDDED SOURCE OR DRAIN REGION INCLUDING LATERALLY EXTENDED PORTION AND FABRICATION METHOD THEREOF

摘要

于一些实施例中，于一方法中，提供一具有一闸极结构配置其上之本体结构。该闸极结构包含一横跨该本体结构之闸极侧壁。一间隔件形成于该闸极侧壁之上。一第一凹槽形成于该本体结构中。该第一凹槽形成于该间隔件旁且在该间隔件下横向地延伸。一凹槽延伸形成于该第一凹槽下以延伸该第一凹槽之一垂直深度。生长具有一与该本体结构之晶格常数不同晶格常数之应力源材料使延伸的第一凹槽被填充。