发明名称 制造场效电晶体的方法、场效电晶体、显示装置以及电磁波侦测器
摘要
申请公布号 TWI495017 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW099117573 申请日期 2010.06.01
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 今井真二
分类号 H01L21/336;H01L29/78;G09F9/00 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种制造场效电晶体的方法,该场效电晶体包括:基板、闸极、闸极绝缘膜、源极、汲极、像素电极、以氧化物半导体为主成份的氧化物半导体层、以及以无机材料为主成份的无机绝缘层,该制造场效电晶体的方法包括:形成包括该源极、该汲极或该像素电极之至少一种的导电层;形成无机绝缘层,以覆盖该导电层和该氧化物半导体层;以光阻形成法在该无机绝缘层上形成光阻膜;将该光阻膜曝光成图案形状;以及使用显像剂使已曝光的该光阻膜显像,以形成光阻图案,且使用该显像剂作为蚀刻液体,以将该无机绝缘层被该光阻图案所曝露的曝露区域去除,藉此使该导电层的一部份曝露。
地址 日本