发明名称 |
制造场效电晶体的方法、场效电晶体、显示装置以及电磁波侦测器 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI495017 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
申请号 |
TW099117573 |
申请日期 |
2010.06.01 |
申请人 |
富士软片股份有限公司 |
发明人 |
今井真二 |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;G09F9/00 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种制造场效电晶体的方法,该场效电晶体包括:基板、闸极、闸极绝缘膜、源极、汲极、像素电极、以氧化物半导体为主成份的氧化物半导体层、以及以无机材料为主成份的无机绝缘层,该制造场效电晶体的方法包括:形成包括该源极、该汲极或该像素电极之至少一种的导电层;形成无机绝缘层,以覆盖该导电层和该氧化物半导体层;以光阻形成法在该无机绝缘层上形成光阻膜;将该光阻膜曝光成图案形状;以及使用显像剂使已曝光的该光阻膜显像,以形成光阻图案,且使用该显像剂作为蚀刻液体,以将该无机绝缘层被该光阻图案所曝露的曝露区域去除,藉此使该导电层的一部份曝露。
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地址 |
日本 |