半導体レーザ

摘要

半導体レーザを、基板（１）の上方に設けられた第１導電型の半導体ナノワイヤ（２）と、半導体ナノワイヤの周囲に設けられ、上端及び下端が絶縁されている発光層（３）と、発光層の外周に設けられ、第１導電型と異なる第２導電型のクラッド層（５）と、半導体ナノワイヤの端部に電気的に接続された第１電極（７）と、クラッド層の外周に電気的に接続された第２電極（６）と、半導体ナノワイヤの一方の端部側に設けられた第１反射鏡（８）と、半導体ナノワイヤの他方の端部側に設けられた第２反射鏡（９）とを備えるものとする。