纳米级结构上的外延膜

摘要

本发明的实施例包括外延层，所述外延层以容许所述层弛豫两个自由度或三个自由度的方式直接接触例如纳米线、鳍和柱。所述外延层可以包括在晶体管的沟道区中。可以去除纳米线、鳍或柱，以更易于接近外延层。这样做可以容许“环绕式栅极”结构，其中，栅极围绕外延层的顶部、底部和侧壁。本文还描述了其它实施例。

主权项

一种装置，包括：鳍结构，所述鳍结构具有第一晶格常数和顶部以及从所述顶部向衬底延伸的相对的侧壁部分；以及外延(EPI)层，所述外延(EPI)层具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数，所述外延(EPI)层形成于所述顶部和所述侧壁部分中的一个上；其中，所述EPI层包括IV族材料和III‑V族材料中的一种，并且所述鳍结构包括Si。