发明名称 在晶片上接合芯片的方法
摘要 用于将多个芯片(3)接合到在前侧包含芯片(3’)的基础晶片(1)上的方法,其中在基础晶片(1)的背侧以至少一个层堆叠芯片(3),并且在垂直相邻的芯片(3, 3’)之间建立导电连接(7),所述方法具有以下的步骤:a)将基础晶片(1)的前侧(2)固定在载体(5)上,b)将至少一层芯片(3)放置在基础晶片(1)的背侧(6)上的定义位置中,和c)在与载体(5)固定的基础晶片(1)上热处理芯片(3, 3’),其特征在于,在步骤c)之前,将基础晶片(1)的芯片(3’)至少部分地分隔成基础晶片(1)的分离的芯片堆叠片段(1c)。
申请公布号 CN102484100B 申请公布日期 2015.07.29
申请号 CN201080041417.2 申请日期 2010.09.03
申请人 EV 集团 E·索尔纳有限责任公司 发明人 M.温普林格
分类号 H01L21/98(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L21/98(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 杜荔南;卢江
主权项 用于将多个芯片(9)接合到基础晶片(1)上的方法,其中将芯片(9)以至少一层堆叠在基础晶片(1)上,并且建立用于连接其它垂直相邻芯片的导电连接(7),所述方法具有以下的步骤:a)将基础晶片(1)固定在载体(5)上;b)将至少一层芯片(9)放置在基础晶片(1)上的定义位置中,和c)在与载体(5)固定的基础晶片(1)上对芯片(9)进行热处理,其中在步骤c)之前,将基础晶片(1)至少部分地分隔成基础晶片(1)的分离的芯片堆叠片段(1c),并且其中载体(5)由硅构成,也就是载体(5)同样是晶片。
地址 奥地利圣弗洛里安