包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x10¹³cm^-3和5x10¹⁴cm^-3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体主体，其具有相对的第一侧和第二侧；以及位于所述半导体主体中的漂移区，其位于所述第二侧和pn结之间，其中，在所述第一侧和所述第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，所述漂移区的净掺杂分布是波动的，并且包括在1x10¹³cm^‑3和5x10¹⁴cm^‑3之间的多个掺杂峰值；其中器件阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，所述pn结位于所述漂移区和相反导电类型的半导体区之间，所述半导体区被电耦接至所述半导体主体的所述第一侧。