发明名称 Verbindunqsstruktur und Verfahren zur Herstellunq
摘要 Es werden eine Verbindungsstruktur für eine integrierte Schaltung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zur Verfügung gestellt. Die Verbindungsstruktur weist eine Leiterbahn und optional eine Deckschicht auf der Leiterbahn auf. Vor dem Herstellen einer Schicht, z. B. einer Ätzstoppschicht, ILD-Schicht oder dergleichen, auf der Leiterbahn und/oder der Deckschicht wird eine Behandlung zum Entfernen von Unreinheiten durchgeführt.
申请公布号 DE102014019154(A1) 申请公布日期 2015.07.23
申请号 DE20141019154 申请日期 2014.12.19
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 CHI, CHIH-CHIEN,;HUANG, HUANG-YI,;TUNG, SZU-PING,;HSIEH, CHING-HUA,
分类号 H01L21/768;H01L21/322;H01L21/324 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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