发明名称 鳍式场效应晶体管的形成方法
摘要 一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,包括第一区域和第二区域,第一区域上形成有第一鳍部,第二区域上形成有第二鳍部,第一鳍部和第二鳍部的宽度相同,所述半导体衬底表面还形成有第一介质层,所述第一介质层的表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面;在所述第一鳍部表面形成阻挡层;在第二鳍部表面形成半导体外延层,所述第二鳍部以及位于所述第二鳍部表面的半导体外延层作为第三鳍部;去除所述阻挡层;对所述第一鳍部表面进行氧化形成第一栅介质层,对所述第三鳍部表面进行氧化形成第三栅介质层,所述第三栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度。所述方法可以提高鳍式场效应晶体管的性能。
申请公布号 CN104795332A 申请公布日期 2015.07.22
申请号 CN201410027723.0 申请日期 2014.01.21
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 谢欣云
分类号 H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种鳍式场效应晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域,所述第一区域上形成有第一鳍部,所述第二区域上形成有第二鳍部,所述第一鳍部和第二鳍部的宽度相同,所述半导体衬底表面还形成有第一介质层,所述第一介质层的表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面;在所述第一鳍部表面形成阻挡层;在第二鳍部表面形成半导体外延层,所述第二鳍部以及位于所述第二鳍部表面的半导体外延层作为第三鳍部;去除所述阻挡层;对所述第一鳍部表面进行氧化形成第一栅介质层,对所述第三鳍部表面进行氧化形成第三栅介质层,所述第三栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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