发明名称 |
阵列基板及其制作方法以及显示装置 |
摘要 |
本发明涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示装置,上述阵列基板包括:有源层,其中,在有源层中含氧量高于预设值的位置形成有目标氧化物,目标氧化物的载流子迁移率大于有源层中其他位置的材料的载流子迁移率。根据本发明的技术方案,通过在有源层中含氧量高于预设值的位置形成有目标氧化物(例如锌基氮氧化物),由于目标氧化物具有比有源层本身更高的载流子迁移率,可以提高该区域的载流子浓度,使得有源层整体的载流子浓度较为均匀,减少有源层载流子浓度不均造成的Mura缺陷。 |
申请公布号 |
CN104795404A |
申请公布日期 |
2015.07.22 |
申请号 |
CN201510182175.3 |
申请日期 |
2015.04.16 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
杨维;李禹奉;宁策;张文林 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
李相雨 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:有源层,其中,在所述有源层中含氧量高于预设值的位置形成有目标氧化物,所述目标氧化物的载流子迁移率大于所述有源层中其他位置的材料的载流子迁移率。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |