| 主权项 |
一种增进底胶附着力之凸块制程，包含：提供一半导体基板，该半导体基板之一接合面上系设有复数个第一接垫并覆盖有一第一保护层；形成一光阻型介电层于该第一保护层上并覆盖该些第一接垫；利用一灰阶光罩对该光阻型介电层进行灰阶曝光与开孔曝光，该灰阶光罩系具有一灰阶区以及复数个在该灰阶区内之非灰阶点状图案，该灰阶区系对准于该光阻型介电层位在该第一保护层上的部位，该些非灰阶点状图案系对准于该些第一接垫；显影该光阻型介电层，同时移除该光阻型介电层位在该些第一接垫上的部位，以使该光阻型介电层具有复数个显露该些第一接垫之第一开孔，并局部移除该光阻型介电层位在该第一保护层上的部位，以使其表面形成有复数个曝光不足之密集凹坑，少数之该些密集凹坑系分散在该些第一接垫上，并且该些密集凹坑之深度系不小于该光阻型介电层之厚度之10%；以及设置复数个凸块于该些第一接垫上，其中该些第一开孔系小于对应之该些凸块之表面覆盖面积，以使该些少数之密集凹坑更分布至该些凸块之下方而被覆盖。
|
