半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，当形成接触孔时容易进行蚀刻控制。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。

主权项

一种半导体装置，包括：形成在绝缘表面上且具有接触孔的岛状的半导体层；所述岛状的半导体层中的硅化物区；形成在所述岛状的半导体层上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的栅电极；形成在所述栅电极上的第二绝缘层；以及形成在所述第二绝缘层上的导电层，其中，所述岛状的半导体层包括杂质区及在该杂质区之间的沟道形成区，所述接触孔形成在所述杂质区的每一个中，所述接触孔的至少一部分到达所述绝缘表面，所述导电层连接到所述岛状的半导体层的侧表面及所述硅化物区，并且所述导电层填充了所述接触孔。