半导体发光元件及其制造方法

摘要

实现抑止漏电流的产生而提升发光效率的半导体发光元件。本发明之半导体发光元件的制造方法，具有：于基板上形成n型半导体层的工程(a)；于n型半导体层上交互层积发光层及障壁层，形成活性层的工程(b)；及供给p型的掺杂物，于活性层上形成p型半导体层的工程(c)；于工程(b)中，将障壁层中位于最接近p型半导体层之位置的最后障壁层，以比形成于该最后障壁层内之凹部的直径更厚之厚膜来予以形成。