半导体装置之制造方法及半导体装置;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明公开了一种提高半导体装置特性之方法。;在含有铝之最上层布线M4上之保护膜PRO上，形成开口部OA1使布线M4之焊接区域PD1露出，并在露出之布线M4之表面上形成氮化铝。接着，在具有上述布线M4之半导体基板之背面形成氮化矽膜。如上上述，藉由在焊接区域PD1上设置氮化铝膜M4e，便可防止因半导体基板背面之氮化矽膜引起在焊接区域PD1上产生异物之现象。尤其在焊接区域PD1形成步骤之后，即使至检查步骤及焊接步骤为止还需要时间，也可防止在焊接区域PD1中异物之生成反应，从而提高半导体装置之特性。