发明名称 リングトポロジーステータス指示
摘要 <p>半導体素子は、外部データインタフェース、外部ステータスインタフェース、及び複数の内部データインタフェースを有するブリッジ素子とを有する。複数のメモリ素子は、内部データインタフェースのうちの1つを介してブリッジ素子にそれぞれ接続される。メモリ素子のそれぞれは、ブリッジ素子の入力に接続されるレディ/ビジー出力を有する。前記ブリッジ素子は、外部ステータスインタフェースで受信されたステータス要求コマンドに応答して、外部ステータスインタフェースのパケットフォーマットで各レディ/ビジー出力の現在の状態を出力し、外部データインタフェースで受信したステータス読み出しコマンドに応答して、内部データインタフェースの一つを介して、選択されたメモリ素子のステータスレジスタから情報を読み出し、外部データインタフェースで情報を提供する。【選択図】図6</p>
申请公布号 JP2015520459(A) 申请公布日期 2015.07.16
申请号 JP20150514298 申请日期 2013.05.28
申请人 发明人
分类号 G06F13/16;G06F12/00 主分类号 G06F13/16
代理机构 代理人
主权项
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