| 摘要 |
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant, sur la base d'un substrat :
- une formation d'une première couche (201) d'un premier matériau semi-conducteur, sur une première zone d'une surface supérieure du substrat ;
- une formation d'une deuxième couche (202) d'un deuxième matériau semi-conducteur, sur une deuxième zone, distincte de la première zone, de la surface supérieure du substrat ;
il comprend, après la formation de la deuxième couche (202) :
- une formation d'une première couche métallique au-dessus de la première couche ;
- une formation d'une première couche de contact (281) d'un premier composé intermétallique ou solution solide comprenant au moins une portion de la première couche et au moins une portion de la première couche métallique ;
- une formation d'une première couche sacrificielle par oxydation, sur une épaisseur e 1 , d'une portion supérieure de la première couche de contact, et la formation d'une deuxième couche sacrificielle par oxydation, sur une épaisseur e 2 , d'une portion supérieure de la deuxième couche ;
- la réalisation d'un enlèvement de la totalité de la deuxième couche sacrificielle de sorte à exposer une portion résiduelle de la deuxième couche et d'un enlèvement partiel de la première couche sacrificielle ;
- une formation d'une deuxième couche métallique au-dessus de ladite portion résiduelle ;
- la formation d'une deuxième couche de contact (282) d'un deuxième composé intermétallique ou solution solide comprenant au moins une portion de ladite portion résiduelle et au moins une portion de la deuxième couche métallique. |
