| 发明名称 | 双掺杂In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>基热电材料及其制备和用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及双掺杂In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>基热电材料In<sub>4-x</sub>Pb<sub>0.01</sub>Sn<sub>x</sub>Se<sub>3</sub>(x=0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、Sn双掺杂In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、Sn双掺杂的In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。 | ||
| 申请公布号 | CN103022336B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201210539358.2 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明人 | 吴立明;林志盛;陈玲 |
| 分类号 | H01L35/18(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人 | 谢蓉 |
| 主权项 | 一种双掺杂In<sub>4</sub>Se<sub>3</sub>基热电材料，其特征在于，所述热电材料的结构为In<sub>4‑x</sub>Pb<sub>0.01</sub>Sn<sub>x</sub>Se<sub>3</sub>，其中，x的取值范围是0.02‑0.05。 | ||
| 地址 | 350002 福建省福州市杨桥西路155号 | ||