发明名称 |
用于处理晶片的方法和设备 |
摘要 |
在对用于制造太阳能电池的晶片的涂覆方法中,以连续方法在具有诸如镍、铜或银的涂覆池中将该金属沉积在晶片上。晶片浸入涂覆池中,并且在该晶片的第一区域已经进入涂覆池中但是该晶片的第二区域仍未进入涂覆池中的时刻在晶片的第二区域上施加电流脉冲,用于触发金属在所述晶片的进入涂覆池中的第一区域上的电气沉积,以便在晶片完全侵入所述涂覆池的情况下也在该晶片的其余面上接着进行进一步的自动涂覆,而不需要其它的电流脉冲或电流通过。 |
申请公布号 |
CN102439730B |
申请公布日期 |
2015.07.15 |
申请号 |
CN201080020789.7 |
申请日期 |
2010.05.12 |
申请人 |
吉布尔·施密德有限责任公司 |
发明人 |
W.A.莫雷尔 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;C25D17/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;卢江 |
主权项 |
一种用于在涂覆池中以连续方法处理用于制造太阳能电池的晶片的方法,其中在该涂覆池中将金属沉积在所述晶片上,其特征在于,将所述晶片浸入涂覆池中,并且在该晶片的第一区域已经进入涂覆池中而该晶片的第二区域仍未进入涂覆池中的时刻在晶片的第二区域中启动触发电流,用于开始所述金属在所述晶片的进入涂覆池中的第一区域上的电气沉积,并且接着在晶片完全浸入所述涂覆池的情况下也在该晶片的第二区域中进行进一步的自动涂覆,而不需要电流引发的激活。 |
地址 |
德国弗罗伊登斯塔特 |