| 发明名称 | 制造栅极介电层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路制造，更具体地来说，涉及带有栅极介电层的半导体器件。一种半导体器件的示例性结构包括：衬底，具有第一有源区域；第一栅极结构，位于第一有源区域上方，其中，第一栅极结构包括第一界面层，具有凸形顶面；第一高-k电介质，位于第一界面层上方；以及第一栅电极，位于第一高-k电介质上方。 | ||
| 申请公布号 | CN102738221B | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201110243168.1 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李威养;于雄飞;李达元;许光源 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，具有第一有源区域；第一栅极结构，位于所述第一有源区域上方，其中，所述第一栅极结构包括：第一界面层，具有凸型顶面，所述第一界面层由在所述第一有源区域上方的第二界面层实施含氟等离子体处理形成，所述第二界面层形成在所述衬底的表面上方；第一高‑k电介质，位于所述第一界面层上方，所述第一高‑k电介质由在所述第一有源区域上方的第二高‑k电介质实施所述含氟等离子体处理形成；以及第一栅电极，位于所述第一高‑k电介质上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||