发明名称 乾式蚀刻剂及使用其之乾式蚀刻方法
摘要
申请公布号 TWI491710 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW100104013 申请日期 2011.02.01
申请人 中央硝子股份有限公司 发明人 日比野泰雄;毛利勇;冈本觉;梅崎智典;菊池亚纪应
分类号 C09K13/00;H01L21/306 主分类号 C09K13/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种乾式蚀刻剂,其特征在于:其系用以蚀刻选自由二氧化矽及氮化矽所组成之群中之至少一种矽材料者,且含有(A)化学式CF3C≡CX(其中,X表示H、F、Cl、Br、I、CH3、CFH2或CF2H)所示之氟化丙炔,及下述气体中之任一种:(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2及COF2所组成之群中之至少一种气体;(C)选自由F2、NF3、Cl2、Br2、I2及YFn(式中,Y表示Cl、Br或I;n表示整数,且1≦n≦5)所组成之群中之至少一种气体;(D)选自由CF4、CHF3、C2F6、C2F5H、C2F4H2、C3F8、C3F4H2、C3ClF3H及C4F8所组成之群中之至少一种气体。
地址 日本