| 发明名称 | 自整流电阻式随机存取记忆体（ＲＲＡＭ）之记忆胞结构及其３Ｄ交错阵列 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI492434 | 申请公布日期 | 2015.07.11 |
| 申请号 | TW102139709 | 申请日期 | 2013.11.01 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 侯拓宏;徐崇威;王怡婷 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L21/8244 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 | |
| 主权项 | 一种自整流RRAM记忆胞结构，包含：一第一电极层，由一第一金属元素形成；一第二电极层，由一与该第一金属元素不同之第二金属元素形成；一第一电阻转换层及一第二电阻转换层夹设于该第一电极层及该第二电极层之间，其中该第一电阻转换层及该第二电阻转换层形成一欧姆接触，且该第一电阻转换层具有一第一能隙，该第二电阻转换层具有一第二能隙，该第一能隙小于该第二能隙。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||