三族氮化物半导体发光元件及其制造方法

主权项

一种三族氮化物半导体发光装置，包含三族氮化物半导体所形成的下层、形成在该下层上的超晶格层与形成在该超晶格层上的发光层，其中：该下层具有凹坑；该超晶格层具有由含铟之三族氮化物半导体所形成的至少一含铟层；该凹坑具有在该下层与该超晶格层间之介面处所量测到的平均凹坑直径D()，此平均凹坑直径满足下列条件：500D3,000；及该含铟层具有满足下列条件的厚度Y()：-0.029 x D+82.8Y-0.029 x D+102.8。