发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI491961 申请公布日期 2015.07.11
申请号 TW098144497 申请日期 2009.12.23
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 石谷哲二;久保田大介;西毅
分类号 G02F1/13357;G02F1/1368 主分类号 G02F1/13357
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置的制造方法,该方法包括以下步骤:在第一透光基板上形成闸极电极、挡光层以及薄膜电晶体,该薄膜电晶体包括在该闸极电极与该挡光层之间的氧化物半导体层;形成包括电连接至该薄膜电晶体的像素电极的像素部分;将该第一透光基板与第二透光基板彼此固定,并在该第一透光基板与该第二透光基板之间插入包括光可固化树脂和光聚合引发剂的液晶层;用紫外光从该第一透光基板和该第二透光基板的上方和下方两个方向照射该液晶层;在用该紫外光照射该液晶层之后将第一偏极板固定至该第一透光基板,并将第二偏极板固定至该第二透光基板;以及固定包括多种类型的发光二极体的背光部分,以使其与该第一透光基板的该像素部分交叠。
地址 日本