| 摘要 |
Способ оптимизации параметров поверхностного сопротивления светопроводящего электрода светодиодной структуры, включающий нанесение светопроводящего контакта в виде пленки оксидов индия и олова на полупроводниковую подложку со сформированной структурой светодиода, отличающийся тем, что после нанесения пленки, проводят измерения поверхностного сопротивления светопроводящего контакта, а затем осуществляют термический отжиг в атмосфере азота или кислорода при температуре от 400°C до 650°C, при этом, если величина измеренного поверхностного сопротивления светопроводящего слоя выше оптимального, то производят отжиг в атмосфере азота, а если величина измеренного поверхностного сопротивления ниже оптимального, то проводят термический отжиг в атмосфере кислорода, и таким образом проводят эти действия до достижения заданного оптимального значения поверхностного сопротивления светопроводящего электрода. |
