发明名称 磁传感器
摘要 本发明的目的在于提供一种磁传感器,能够抑制由磁铁向检测方向以外的方向的移动引起的误差的产生,并能够高精度地检测磁铁的位置。磁传感器(10)检测磁铁(33)在X方向上的位置,其特征在于,二个磁传感器元件(21a、21b)在Y方向上互相设有间隔地配置,并在Z方向上与磁铁对置而配置,该磁传感器中设置有位于磁铁与二个磁传感器元件之间并且在二个磁传感器彼此之间的软磁体(31),从磁铁产生的磁通被设置在使二个磁传感器元件的自由磁性层的磁化饱和的范围内,并且二个磁传感器元件的固定磁性层的磁化方向互相相同,通过二个磁传感器元件构成电桥电路。
申请公布号 CN104764470A 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201510007939.5 申请日期 2015.01.07
申请人 阿尔卑斯电气株式会社 发明人 野口贵史;中村德男;濑下一成;梅津英治;安藤秀人;远藤广明
分类号 G01D5/16(2006.01)I 主分类号 G01D5/16(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 杨谦;房永峰
主权项 一种磁传感器,具有在第一方向上被磁化了的磁铁和二个磁传感器元件,所述磁传感器检测所述磁铁在所述第一方向上的位置,其特征在于,所述二个磁传感器元件在与所述第一方向正交的第二方向上互相设有间隔地配置,在与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向上与所述磁铁对置地配置,所述磁传感器中设置有软磁体,该软磁体在所述第三方向上位于所述磁铁与所述二个磁传感器元件之间,并且在所述第二方向上位于所述二个磁传感器彼此之间,所述二个磁传感器元件分别具有磁化已固定了的固定磁性层和根据外部磁场磁化会变化的自由磁性层,从所述磁铁产生的磁通设置在使所述二个磁传感器元件的所述自由磁性层的磁化饱和的范围内,并且所述二个磁传感器元件的所述固定磁性层的磁化方向互相相同,通过所述二个磁传感器元件构成电桥电路。
地址 日本东京都