发明名称 倒装结构的发光二极管及其制备方法
摘要 本发明公开了一种倒装结构的发光二极管。发光二极管包括:至少一表面形成有电极层的晶片,以及至少邻近晶片一侧的表面为金属表面的基板;其中,电极层包括相互绝缘设置的晶片正极和晶片负极,基板的金属表面包括相应晶片正极和晶片负极绝缘设置的正极金属区和负极金属区;晶片正极与正极金属区之间、以及晶片负极与负极金属区之间分别设置有纳米银层。本发明还公开了一种倒装结构的发光二极管的制备方法。通过上述方式,本发明能够提高导热率、导电率,并且能够提高晶片与基板的结合强度。
申请公布号 CN102891240B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201210349357.1 申请日期 2012.09.18
申请人 惠州雷曼光电科技有限公司 发明人 李漫铁;屠孟龙;李扬林
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 何青瓦
主权项 一种倒装结构的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:至少一表面形成有电极层的晶片,以及至少邻近所述晶片一侧的表面为金属表面的基板;其中,所述电极层包括相互绝缘设置的晶片正极和晶片负极,所述基板的金属表面包括相应晶片正极和晶片负极绝缘设置的正极金属区和负极金属区;所述晶片正极与正极金属区之间、以及所述晶片负极与负极金属区之间分别设置有纳米银层,所述纳米银层是通过在140℃至200℃温度范围内,20min至60min时间范围内对纳米银浆进行烘烤固化、不需要回流焊工艺,使得所述纳米银浆中的基体成分挥发完全固化后形成,以使得所述纳米银层中纳米银所占比重不低于95.0%,其中所述纳米银在热作用下进行分子扩散,与所述基板的金属表面和所述晶片的电极层结合。
地址 516005 广东省惠州市惠城区东江高新科技开发区管理委员会2楼204室