| 发明名称 | 具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据示例性实施例，提供了一种芯片。该芯片包括具有第一阈值的第一垂直器件和具有第二阈值的第二垂直器件。第一垂直器件包括第一源极；位于第一源极上方的第一沟道；位于第一沟道上方的第一漏极；邻近第一沟道的第一导电层；以及邻近第一导电层的第一栅极。第二垂直器件包括第二源极；位于第二源极上方的第二沟道；位于第二沟道上方的第二漏极；邻近第二沟道的第二导电层；以及邻近第二导电层的第二栅极。本发明涉及具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104766860A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201410403876.0 | 申请日期 | 2014.08.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王立廷;蔡腾群;林正堂;陈德芳;张惠政 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种芯片，包括：第一垂直器件，具有第一阈值，所述第一垂直器件包括：第一源极；第一沟道，位于所述第一源极上方；第一漏极，位于所述第一沟道上方；第一栅极电介质，邻近所述第一沟道；第一导电层，邻近所述第一栅极电介质；以及第一栅极金属，邻近所述第一导电层；以及第二垂直器件，具有第二阈值，所述第二垂直器件包括：第二源极；第二沟道，位于所述第二源极上方；第二漏极，位于所述第二沟道上方；第二栅极电介质，邻近所述第二沟道；第二导电层，邻近所述第二栅极电介质；以及第二栅极金属，邻近所述第二导电层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||