半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据该方法，在台阶状的底电极材料层上沉积了停止层，然后通过高深宽比工艺沉积绝缘材料层。先执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层。再执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。然后，在底电极材料层的垂直部分上方形成相变材料以形成相变元件。通过设置停止层，将化学机械抛光工艺分为两个阶段。因此在对底电极材料层进行的第二化学机械抛光工艺过程中，能够精确控制抛光过程，避免底电极过多不必要的损失。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成台阶状的底电极材料层，所述底电极材料层具有上部水平部分、垂直部分和下部水平部分；沉积停止层；沉积绝缘材料层，所述绝缘材料层和所述停止层在化学机械抛光工艺中具有不同的选择比；执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层；执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。