| 发明名称 | 一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO<sub>2</sub>靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O<sub>2</sub>氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO<sub>2</sub>(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。 | ||
| 申请公布号 | CN104762605A | 申请公布日期 | 2015.07.08 |
| 申请号 | CN201510178232.0 | 申请日期 | 2015.04.15 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 发明人 | 刘向力;王成迁 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C01G31/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人 | 韩英杰 |
| 主权项 | 一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO<sub>2</sub>靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽镇深圳大学城哈工大校区 | ||