发明名称 导电玻璃及其制备方法
摘要 本发明涉及一种导电玻璃及其制备方法。一种导电玻璃,包括透明玻璃基底,所述导电玻璃还包括依次层叠在所述透明玻璃基底上的杂质阻挡层及导电功能层,所述杂质阻挡层为层叠的金属氧化物层和氧化硅层;或为金属氧化物和氧化硅的混合物层。上述导电玻璃的杂质阻挡层能够抑制钠离子扩散进入氧化锡膜,使膜发雾,薄膜的光学性能下降,因此能够在保证高的光学透过率的同时,降低其电阻值,当用作光电器件的透明导电电极时可提供低接触势垒,降低器件的阻抗损失。
申请公布号 CN102950829B 申请公布日期 2015.07.08
申请号 CN201110253133.6 申请日期 2011.08.30
申请人 中国南玻集团股份有限公司 发明人 白京华;王杏娟;强骥鹏;何进
分类号 B32B9/04(2006.01)I;B32B17/00(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I 主分类号 B32B9/04(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种导电玻璃,包括透明玻璃基底,其特征在于,所述导电玻璃还包括依次层叠在所述透明玻璃基底上的杂质阻挡层及导电功能层,所述杂质阻挡层为氧化铝和氧化硅的混合物层;氧化铝在杂质阻挡层中的体积比为10~40%;所述杂质阻挡层的折射率为1.53~1.95;杂质阻挡层的厚度为50~60nm;所述导电功能层包括依次层叠的致密形核层、主体导电层及封端层,所述封端层的载流子浓度大于所述主体导电层的载流子浓度;所述主体导电层的载流子浓度为1~3×10<sup>20</sup>cm<sup>‑3</sup>,所述封端层的载流子浓度为1~3.0×10<sup>21</sup>cm<sup>‑3</sup>;所述封端层的材料为氟、锑共掺杂的氧化锡;所述致密形核层的材料为掺杂氟的氧化锡;其中氟的掺杂摩尔百分比为0.1~3.0%。
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