发明名称 Schutz gegen elektrostatische Entladung
摘要 Chip mit integriertem Schaltkreis, umfassend: einen zur Leitung von Signalen auf einen Chip und vom Chip weg ausgelegten Chip-Anschlussstift; einen ersten Signalweg aus dem Chip-Anschlussstift zu einer ersten ESD(elektrostatische Entladung)-anfälligen Schaltung, die gegenüber einer über einem ersten Spannungspegel liegenden Spannung anfällig ist; einen ersten Schutzschaltkreis, der mit einem ersten Knoten auf dem ersten Signalweg gekoppelt ist, wobei die erste Schutzschaltung ausgelegt ist, die Spannung eines auf den Chip geleiteten Signals auf einen zweiten Spannungspegel zu beschränken, wobei der zweite Spannungspegel höher als der erste Spannungspegel ist; und einen zweiten Schutzschaltkreis, der mit einem zweiten Knoten auf dem ersten Signalweg zwischen dem ersten Knoten und dem ersten ESD-anfälligen Schaltkreis gekoppelt ist, wobei der zweite Schutzschaltkreis ausgelegt ist, die Spannung des auf den Chip geleiteten Signals auf den ersten Spannungspegel zu begrenzen.
申请公布号 DE102014013504(A1) 申请公布日期 2015.07.02
申请号 DE20141013504 申请日期 2014.09.11
申请人 CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED 发明人 KWOK, TERENCE CHI-FUNG,
分类号 H01L23/60;H02H9/04 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人
主权项
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