Verbundstruktur für Gate-Ebenen Zwischenschicht-Dielektrikum

摘要

Ein Verfahren zum Bilden einer integrierten Schaltkreisvorrichtung umfasst das Bilden von Dummy-Gates auf einem Halbleitersubstrat, das Abscheiden einer ersten dielektrischen Schicht auf den Dummy-Gates, chemisch-mechanisches Polieren zum Absenken der ersten dielektrischen Schicht auf die Höhe der Dummy-Gates, Ätzen zum Vertiefen der ersten dielektrischen Schicht bis unter die Höhe der Gates, Abscheiden einer oder mehrerer weiterer dielektrischer Schichten auf der ersten dielektrischen Schicht sowie chemisch-mechanisches Polieren zum Absenken der einen oder mehreren weiteren dielektrischen Schichten auf die Höhe der Gates. Das Verfahren stellt eine integrierte Schaltkreisvorrichtung mit Metallelektroden und einem Zwischenebenen-Dielektrikum auf der Gate-Ebene bereit, die eine Abdeckschicht umfasst. Die Abdeckschicht widersteht Ätzen und erhält die Gatehöhe durch ein Gate-Ersetzungs-Verfahren hindurch.