发明名称 Semiconductor Device
摘要 <p>반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는 전하 저장 패턴을 덮되, 전하 저장 패턴의 모서리 영역을 덮는 블로킹막의 부분의 두께가 나머지 부분의 두께보다 두꺼워, 전하 저장 패턴의 모서리 영역에 전계가 집중되는 것이 완화될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101533447(B1) 申请公布日期 2015.07.02
申请号 KR20090093315 申请日期 2009.09.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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