| 发明名称 | 封装堆叠结构 | ||
| 摘要 | 本发明包括一种器件，该器件包括层间电介质、位于该层间电介质下方的器件管芯、以及位于该层间电介质下方并且位于该器件管芯上方的管芯接合膜，其中，管芯接合膜与器件管芯相接合。多个再分布线的一部分与管芯接合膜相齐平。多个Z互连件与器件管芯和多个再分布线电连接。含聚合物材料位于层间电介质下方。器件管芯、管芯接合膜、和多个Z互连件设置在含聚合物材料中。本发明还提供了一种形成封装堆叠结构的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103050486B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201210047905.5 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林志伟;郑明达;陈孟泽;吕文雄;黄贵伟;刘重希 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：层间电介质；第一器件管芯，位于所述层间电介质下方；管芯接合膜，位于所述层间电介质下方并且位于所述第一器件管芯上方，其中，所述管芯接合膜与所述第一器件管芯相接合；多个第一再分布线，包括与所述管芯接合膜齐平的第一部分；多个第一Z互连件，与所述第一器件管芯和所述多个第一再分布线电连接；以及第一含聚合物材料，位于所述层间电介质下方，其中，所述第一器件管芯、所述管芯接合膜、和所述多个第一Z互连件设置在所述第一含聚合物材料中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||