| 发明名称 | LDMOS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种LDMOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内的一侧形成有体区；形成位于所述半导体衬底表面，并覆盖所述体区的掩膜层，所述掩膜层具有多个开口，所述多个开口暴露出另一侧的半导体衬底表面；以所述掩膜层为掩膜进行掺杂形成预漂移区，所述预漂移区内具有与多个开口相对应的多个子掺杂区；对所述预漂移区进行退火处理形成漂移区；形成位于部分体区和部分漂移区表面的栅极结构。本发明可有效减少工艺步骤，降低制造LDMOS器件的工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104752219A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745831.7 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 程勇;蒲贤勇;王海强;汪铭;马千成 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内的一侧形成有体区；形成位于所述半导体衬底表面，并覆盖所述体区的掩膜层，所述掩膜层具有多个开口，所述多个开口暴露出另一侧的半导体衬底表面；以所述掩膜层为掩膜进行掺杂形成预漂移区，所述预漂移区内具有与多个开口相对应的多个子掺杂区；对所述预漂移区进行退火处理形成漂移区；形成位于部分体区和部分漂移区表面的栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||