一种制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出了在后高K/后金属栅极工艺中添加多次钝化处理工艺，以阻止PMOS区域和NMOS区域中的铝的扩散最终使形成的半导体器件结构与传统工艺形成的半导体器件结构相比具有良好的间隙填充边缘和较低金属栅极电阻，以提高半导体器件的整体性能，提高半导体器件的良品率。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括虚拟栅极，所述第二区域包括虚拟栅极；去除所述第一区域中的虚拟栅极和所述第二区域中的虚拟栅极，以在所述第一区域中形成第一沟槽，在所述第二区域中形成第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部及侧壁上依次沉积形成高K介电层和覆盖层；在所述覆盖层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成P型功函数金属层；采用光刻工艺去除所述第二区域中的所述P型功函数金属层露出所述阻挡层；在所述第一区域中的所述P型功函数金属层和所述第二区域中的所述阻挡层上依次形成N型功函数金属层和金属栅极层；其中，至少在形成所述阻挡层之后形成所述覆盖层之前、形成所述覆盖层之后形成所述P型功函数金属层之前或形成所述P型功函数金属层之后进行一钝化处理步骤，以防止之后形成的N型功函数金属层和金属栅极层中的金属离子扩散到其下的层结构中。