用于多构图工艺的光学临近修正方法

摘要

本发明公开一种用于多构图工艺的光学临近修正方法。所述方法包括：提供光刻图案，所述光刻图案具有图案密集区；将所述图案密集区拆分为分别形成在多个掩膜版上的多个子图案，其中对所述多个掩膜版分别进行光刻和刻蚀能够将所述图案密集区转移到半导体衬底上；在所述多个子图案的周围分别设置自由区；以及对具有所述自由区的所述多个子图案分别进行光学临近修正，且在所述光学临近修正过程中不进入所述自由区。该方法能够提供足够的对准余量，为光刻和刻蚀工艺提供足够的工艺窗口，进而确保最终形成在半导体衬底上的相邻图案互相分离，避免重叠现象的发生。

主权项

一种用于多构图工艺的光学临近修正方法，所述方法包括：提供光刻图案，所述光刻图案具有图案密集区；将所述图案密集区拆分为分别形成在多个掩膜版上的多个子图案，其中对所述多个掩膜版分别进行光刻和刻蚀能够将所述图案密集区转移到半导体衬底上；在所述多个子图案的周围分别设置自由区；以及对具有所述自由区的所述多个子图案分别进行光学临近修正，且在所述光学临近修正过程中不进入所述自由区。