| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制备方法。该方法在半导体衬底上形成栅极，并在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源/漏区，再对源/漏区进行刻蚀以形成凹槽，之后对凹槽的底部和侧壁进行预非晶化注入，再进行外延生长以形成填满凹槽的非晶区域，随后进行张应力膜的沉积以及对非晶区域的固相外延再生，进而在最终形成的半导体器件的源/漏区中形成堆垛层错结构。与现有技术相比，本发明的方法同样可以在最终形成的半导体器件的源/漏区中制成堆垛层错结构，进而提升了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104752178A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745197.7 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴兵 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极，并在所述栅极两侧的半导体衬底中形成源/漏区；对源/漏区的半导体衬底进行刻蚀，以在源/漏区的半导体衬底中形成凹槽；对所述凹槽的底部和侧壁进行预非晶化注入；对预非晶化注入后的凹槽的底部和侧壁进行外延生长，以形成填满凹槽的非晶区域；在半导体衬底、栅极和非晶区域表面沉积张应力膜；对非晶区域进行固相外延再生，以形成堆垛层错。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||