| 发明名称 |
薄膜电晶体及其制造方法、显示装置、影像传感器、Ｘ线传感器以及Ｘ线数位摄影装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI491049 |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
| 申请号 |
TW101127463 |
申请日期 |
2012.07.30 |
| 申请人 |
富士软片股份有限公司 |
发明人 |
小野雅司;高田真宏;铃木真之;田中淳 |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种薄膜电晶体，其包括：闸极电极；闸极绝缘膜，其与上述闸极电极接触；氧化物半导体层，其包括第1区域以及第2区域，并且经由上述闸极绝缘膜而与上述闸极电极对向配置，上述第1区域以In(x)Zn(1-x)O(y)(0.4≦x≦0.5、y>0)表示、且厚度为5nm以上、小于10nm，上述第2区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(b/(a+b)>0.250、c>0、d>0)表示、且相对于上述闸极电极而位于较上述第1区域更远的位置、且厚度为30nm以上、小于70nm；源极电极及汲极电极，其相互隔开配置，并可经由上述氧化物半导体层而导通。 |
| 地址 |
日本 |
