晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：图形化第一半导体层，形成源极部、漏极部以及位于所述源极部和漏极部之间的鳍；去除部分介质层，使所述鳍悬空于剩余介质层上；对所述鳍执行氧化处理并去除氧化层的步骤两次以上，以形成纳米线；在所述纳米线上形成围栅结构。所述晶体管包括：基底，所述基底包括硅层以及依次位于所述硅层上的介质层、锗硅层；所述锗硅层和部分介质层中形成有凹槽，位于所述凹槽两侧的所述第一半导体层分别用作源极或漏极；位于所述源极和漏极之间与所述源极和漏极相接触的锗纳米线；填充于所述凹槽且覆盖所述纳米线的围栅结构。本发明能提高晶体管沟道区的载流子迁移率，进而优化晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第二半导体层以及依次位于所述第二半导体层上的介质层、第一半导体层；图形化所述第一半导体层，形成源极部、漏极部以及位于所述源极部和漏极部之间的鳍；去除位于所述鳍下方的部分介质层，使所述鳍悬空于剩余介质层上；对所述鳍执行氧化处理并去除氧化层的步骤两次以上，以形成纳米线；在所述纳米线上形成围栅结构；对所述纳米线两端的源极部、漏极部进行掺杂，以形成源极和漏极。