| 摘要 |
<p>본 발명은 성장 속도가 향상되는 에피택셜 성장장치를 제공한다. 에피택셜 성장장치는, 기판을 재치(載置)하는 기판 재치부, 광 투과성을 갖는 천정판, 및 측벽부로 구획 형성되는 반응 챔버와, 반응 챔버 외부에 설치되며, 반응 챔버 내에 재치된 기판을 상기 천정판을 통해 가열하는 가열수단과, 반응 챔버 내에 기판의 수평 방향에 대해 평행하게 반응 가스를 도입하는 반응 가스 도입 수단을 구비하고, 천정판의 중심과 상기 기판 재치부간의 거리가, 10㎜ 미만이다.</p> |
