发明名称 等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法
摘要 一种等离子体刻蚀装置及其刻蚀方法,等离子体刻蚀装置包括:处理腔室;第一电极,位于处理腔室内,且具有放置晶圆的平台,第一电极与至少一个射频电源电连接;第二电极,位于处理腔室内,且与第一电极正对,第二电极与直流电源电连接,第二电极和直流电源之间具有第一开关;第一气体供应端,向处理腔室中通入第一气体,且与处理腔室之间具有第二开关;第二气体供应端,向处理腔室中通入第二气体,且与处理腔室之间具有第三开关;脉冲控制单元,同步产生分布控制第一开关、第二开关和第三开关的第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号。
申请公布号 TW201526068 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW103137381 申请日期 2014.10.29
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 叶 如彬;梁洁;浦 远;徐朝阳
分类号 H01J37/32(2006.01);H01J37/04(2006.01);H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01J37/32(2006.01)
代理机构 代理人 林志青
主权项
地址 中国大陆 CN