| 发明名称 | 深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种深硅刻蚀方法，该深硅刻蚀方法包括对设置在反应腔内的基片进行多次等离子刻蚀的步骤以在所述基片上形成沟槽，直至该沟槽的深度达到预定值，其中，所述深硅刻蚀方法还包括，在相邻两次等离子刻蚀步骤之间进行原子层沉积的步骤，以使得所述沟槽的侧壁上覆盖有保护薄膜。本发明还提供一种用于深硅刻蚀的设备。在本发明中，利用原子层沉积的自抑制特性，可以在基片的沟槽侧壁上形成均匀的保护薄膜，从而可以在刻蚀过程中获得较好的刻蚀形貌，并且可以刻蚀得到深宽比较高的沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN104743496A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310738735.X | 申请日期 | 2013.12.29 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 白志民;郑有山;李兴存 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种深硅刻蚀方法，该深硅刻蚀方法包括对设置在反应腔内的基片进行多次等离子刻蚀的步骤以在所述基片上形成沟槽，直至该沟槽的深度达到预定值，其特征在于，所述深硅刻蚀方法还包括，在相邻两次等离子刻蚀步骤之间进行原子层沉积的步骤，以使得所述沟槽的侧壁上覆盖有保护薄膜。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||