双重图形化的形成方法

摘要

一种双重图形化的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有掩膜层；依次在所述掩膜层表面形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光显影处理，在第一光刻胶层内形成第一通孔，在第二光刻胶层内形成第二通孔，且所述第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；形成填充满所述第一通孔和第二通孔的填充材料层；回刻蚀所述填充材料层，去除位于第二光刻胶层表面的填充材料层，且去除位于第二通孔内、以及第二通孔下方的填充材料层，直至暴露出掩膜层表面；去除第二光刻胶层和第一光刻胶层，剩余的填充材料层为双重图形化的掩膜。本发明提供一种双重图形化的掩膜的形成方法，提高形成的双重图形化的掩膜的图形质量。

主权项

一种双重图形化的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有掩膜层；依次在所述掩膜层表面形成第一光刻胶层和第二光刻胶层，且所述第一光刻胶层对光的敏感度比第二光刻胶层对光的敏感度强；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光显影处理，在第一光刻胶层内形成第一通孔，在第二光刻胶层内形成第二通孔，且所述第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；形成填充满所述第一通孔和第二通孔的填充材料层，所述填充材料层还覆盖于第二光刻胶层表面，且刻蚀工艺对所述填充材料层的刻蚀速率大、而对第一光刻胶层和第二光刻胶层的刻蚀速率小；回刻蚀所述填充材料层，去除位于第二光刻胶层表面的填充材料层，且去除位于第二通孔内、以及第二通孔下方的填充材料层，直至暴露出掩膜层表面；去除第二光刻胶层和第一光刻胶层，剩余的填充材料层为双重图形化的掩膜。