等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法

摘要

本发明公开了一种静电卡盘，其制作方法及其应用的等离子体处理装置，所述静电卡盘包括绝缘层和位于绝缘层下方的阻热层。通过选择热传导系数较小的材料作为阻热层，设置在加热装置和基座之间，能够有效降低加热装置产生的热量向基座传导的速率，便于在静电卡盘和基座之间形成较大的温度梯度，维持静电卡盘上方基片的正常等离子体处理工艺，考虑到热喷涂工艺制作的阻热层厚度较小，分别在绝缘层下方和基座上方热喷涂两层阻热层，利用黏结层黏结固定，更好地提高了静电卡盘和基座之间的温度梯度。

主权项

一种等离子体处理装置，包括一真空反应腔，所述真空反应腔下方设置一支撑基片的静电卡盘，所述静电卡盘下方设置一基座，其特征在于：所述静电卡盘包括内部设置有直流电极的绝缘层，所述绝缘层下方设置具有低导热系数材料的阻热层，所述阻热层材料的导热系数小于等于10W/m.K。