Transistor, inverter comprising the same and methods of manufacturing transistor and inverter
摘要
<p>트랜지스터, 상기 트랜지스터를 포함하는 인버터 및 이들의 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 게이트절연층에 전하 트랩 영역을 갖는다. 상기 전하 트랩 영역에 전하를 트랩시킴으로써 문턱전압을 양(+)의 방향으로 이동시킬 수 있다. 이러한 트랜지스터는 증가형(enhancement mode)의 산화물 박막 트랜지스터일 수 있고, 인버터의 구성요소로 사용될 수 있다.</p>
