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<p>반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판에 제1 도전형 불순물 이온을 주입하여 제1 웰을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판에 제2 도전형 불순물을 주입하여 상기 제1 웰과 일 영역에서 중첩되는 확장된 드레인을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판에 제2 도전형 불순물을 주입하여 상기 제1 웰과 다른 영역에서 중첩되도록 상기 확장된 드레인 하부의 반도체 기판 내에 제1 도전형의 제2 웰을 형성하는 단계, 상기 확장된 드레인과 일부 중첩되는 상기 제1 웰 상에 게이트를 형성하는 단계,및 상기 게이트 일 측의 확장된 드레인 영역에 제2 도전형 불순물을 주입하여 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
