发明名称 真空气相沉积反应法制备硅化石墨过程中防止粘结的方法
摘要 本发明公开了一种真空气相沉积反应法制备硅化石墨过程中防止粘结的方法,将已涂覆有高纯硅与助剂的石墨基材放入坩埚时,在上下叠放的相邻石墨基材之间以及坩埚与最下层石墨基材之间分别铺设总厚度不少于2.5mm的防黏剂层,然后再放入真空炉内通过真空气相沉积反应法制备硅化石墨;其中防黏剂层由三层依次铺设形成,三层从下往上分别为碳化硅粉下层、中间层、碳化硅粉上层,所述中间层为石英砂或碳粉或石英砂和碳粉任意比例的混合物。本发明能有效防止粘结,硅化石墨后处理容易,增加坩埚的使用次数,减少废品。
申请公布号 CN104725076A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201510116008.9 申请日期 2015.03.17
申请人 自贡市鸿飞电碳制品有限责任公司;四川理工学院 发明人 彭达鸿;李新跃;罗宏
分类号 C04B41/50(2006.01)I 主分类号 C04B41/50(2006.01)I
代理机构 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人 李海华
主权项 真空气相沉积反应法制备硅化石墨过程中防止粘结的方法,其特征在于:将已涂覆有高纯硅与助剂的石墨基材放入坩埚时,在上下叠放的相邻石墨基材之间以及坩埚与最下层石墨基材之间分别铺设总厚度不少于2.5mm的防黏剂层,然后再放入真空炉内通过真空气相沉积反应法制备硅化石墨;其中防黏剂层由三层依次铺设形成,三层从下往上分别为碳化硅粉下层、中间层、碳化硅粉上层,所述中间层为石英砂或碳粉或石英砂和碳粉任意比例的混合物。
地址 643020 四川省自贡市贡井区贡雷路46号