发明名称 |
处理多层膜的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种处理多层膜的方法。所述方法包括提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜。所述方法还包括提供邻近基底膜第二表面的阻挡层。所述阻挡层具有至少一个能让基底膜和阻挡层外表面之间流体连接的开口。进一步,所述方法包括使基底膜第一表面与第一反应物接触,以及最终使阻挡层外表面与第二反应物接触,所述第二反应物与第一反应物可反应。使基底膜第一表面接触第一反应物和使阻挡层外表面接触第二反应物的方法在所述第一反应物和第二反应物之间的反应形成反应层的条件下进行。 |
申请公布号 |
CN102892920B |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201180017239.4 |
申请日期 |
2011.02.23 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
C·M·A·赫勒;A·R·杜加尔;D·J·科伊尔;严旻;A·G·埃尔拉特;赵日安 |
分类号 |
C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
周李军;林森 |
主权项 |
一种处理多层膜的方法,所述方法包括:提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜;提供邻近所述基底膜第二表面的阻挡层,所述阻挡层具有至少一个能让基底膜和阻挡层外表面之间流体连接的开口;将基底膜第一表面暴露于第一反应物;以及将所述阻挡层外表面暴露于第二反应物,所述第二反应物与所述第一反应物可反应;其中,所述将基底膜第一表面暴露于所述第一反应物和将所述阻挡层外表面暴露于第二反应物在所述第一反应物和所述第二反应物之间的反应形成反应层的条件下进行,其中所述反应层的形成堵塞所述阻挡层中的所述开口。 |
地址 |
美国纽约州 |